工艺和CVD工艺制备金属氧化物材料如：陶
瓷和玻璃材料、铁电陶瓷薄膜、传感器材
料、高温超导材料、计算机不挥发存储材
料等功能材料。我院现在可提供烷氧基金
属化合物，镁、铁、钛、锆、钇、铌、锡、
钽、铜、铝、镓、铟等系列产品。主体纯
度可达到98-99.99%。产品包装为石英瓶和不锈钢瓶两种。规格有100毫升、500毫升、1000毫升、5升、50升。
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烷氧基金属化合物主要应用于Sol-Gel
工艺和CVD工艺制备金属氧化物材料如：陶
瓷和玻璃材料、铁电陶瓷薄膜、传感器材
料、高温超导材料、计算机不挥发存储材
料等功能材料。我院现在可提供烷氧基金
属化合物，镁、铁、钛、锆、钇、铌、锡、
钽、铜、铝、镓、铟等系列产品。主体纯
度可达到98-99.99%。产品包装为石英瓶和不锈钢瓶两种。规格有100毫升、500毫升、1000毫升、5升、50升。
气 体 终 端 纯 化 装 置
高纯度H2、N2、Ar 、O2终端纯化器系国家重点科技攻关课题，已通过国家鉴定，其性能和技术指标达到国外同类装置水平。
主要应用于电子、冶金、化工、通讯等行业及高新技术研究上。
以水电解H2、O2和空分 N2、Ar 为原料气，操作压力为0.5-15MPa处理气量由应用单位选定。纯化程度：H2为99.9999% ,除去H2中的O2, N2,CO,CO2,CH4,H2O和尘埃。N2、Ar为99.9998%，除去N2、Ar中的H2 、O2、 CO 、CO2、CH4、H2O和尘埃。O2为99.999%，除去O2当中的H2 、 CO、CO2、CH4、H2O和尘埃。
H2终端纯化器采用催化干燥和低温吸附相结合的深度纯化工艺，N2，Ar ,O2终端纯化器采用催化吸附深度纯化工艺。是保证纯度和应用于高压力研究，特种功能的独有技术。
高纯三氟化硼
高纯三氟化硼是半导体制造工艺中离子注入用的重要掺杂源，在许多有机反应和石油制品中是一种优良的酸性催化剂和熟化剂， 还可以用于核技术方面。用BF3 中的B10 作为中子的吸收介质以及用作某些制药的中间体等。BF3 的纯度为99.99％以上，其中杂质含量为：O2 ＋N2 〈20×10-6 ，SO2 〈10×10-6 ，SiF4 〈20×10-6 ，SO4 = 〈8×10-6 。 该成果于1985年通过了化工部的鉴定，并获化工部科技进步三等奖。发明的《三氟化硼制备的新方法》于1988年获得国家专利权，专利号为86104416.9，并于1990年获得国家发明四等奖。供货能力为2吨／年。我们提供混合气和纯气。
高纯三氯化硼
高纯三氯化硼主要用于半导体器件制造工艺中的离子注入、干法蚀刻等过程，可作为有机反应中的优良催化剂以及金属冶炼和制备氮化硼、碳化硼等超细粉等。BCl3 的纯度为99.99％和99.999％，4NBCl3 产品中的杂质含量为:游离氯(Cl2 )〈40×10-6 ,光气(COCl2 )〈50×10-6 ,硅化物(Si)〈8×10-6 。5N BCl3 产品中的杂质含量为:O2 ＋Ar〈2×10-6 , N2 〈4×10-6 ,CO〈0.2×10-6 ,CO2 〈0.5×10-6 ，CH4 〈0.2×10-6 ， 4N产品于1990年底完成并通过国家验收、鉴定，获化工部科技进步成果三等奖，5N产品于1995年完成并通过了国家的验收、鉴定，专家们认为该产品达到了国外九十年代同类产品的水平。供货能力为2吨／年。我们提供混合气和纯气。
乙硼烷
乙硼烷在电子工业上用作半导体的搀杂源，当与硅烷和氧反应时，乙硼烷通过化学汽相淀积生成包覆层。
纯度：99.99％ 杂质：N2 〈10PPm，THC〈80PPm。
供货能力：6公斤／年
磷烷
磷烷在电子工业上主要用作硅的搀杂源。
纯度：99.99％，杂质：N2 〈10PPm O2 〈2PPm THC〈3PPm
CO2 〈10PPm H2 ≤2PPm AsH3 〈2PPm H2 〈10PPm
生产能力：6公斤／年
提供：混合气和纯气。
高纯氯
氯气是大规模集成电路、光导纤维、高温超导，以及相关高新技术的科学研究与工业领域不可缺少的重要原材料。此项目曾获上海科技振兴二等奖、中国发明专利等。年产量5吨／年，